国产第三代半导体有了新突破?

碳化硅作为第三代半导体材料，具有耐高温、高电压、高频率、高功率等优良性能，被广泛应用于电力、通信、光电、新能源等领域。

8英寸衬底是降低成本的关键之举，有公司已经在8英寸碳化硅衬底有了最新进展。

碳化硅衬底在新能源汽车领域得到应用，未来有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体。